我們供應全系列電鍍用高靈敏性、厚膜正型光阻，以承受金(Au)、銀(Ag)、錫(Sn)、銅(Cu)、鎳(Ni)與鈀(Pd)金屬電鍍液，這些光阻用來形成3D直通矽穿孔(TSV)上的微凸塊、金柱凸塊與銅柱 、晶圓級晶粒尺寸封裝(WL-CSP)、銅柱/覆晶封裝、LCD驅動器與其它應用，同時在電鍍製程中還具備高製程。我們供應的光阻在電鍍時具有高製程寬容度，因而對於銅金屬基板能夠形成具有極優附著性的高解析度穿孔圖案。此外，在電鍍後的光阻剝離時，我們供應的光阻比起負型光阻還要容易剝離，同時我們供應的正型光阻不但能夠節省凸塊電極製程成本，而且還能支援10到 100 μm光阻厚度。再者，我們還供應一種超厚膜光阻，可用於形成高銅柱電極，作為直通模孔(TMV)與堆疊式封裝層疊(PoP)裝置用。

• PMER P-CS系列、PMER P-LA系列、PMER P-HA系列、PMER P-CE系列

我們供應全系列電鍍用光阻，以形成重分佈層(RDL)。這些光阻支援最新半導體封裝技術，即晶圓級晶粒尺寸封裝(WL-CSP)、 晶圓/面板等級扇出封裝連同供應形成互連體超細RDL所需的高解析度，同時支援5-20 μm薄膜厚度與寬廣聚焦深度(DOF)
。我們供應萘醌與化學增強型光阻，其具備整合環境所需的超優誤差特色。此外，我們供應高解析度光阻，可搭配Na2 CO3無機鹼性顯影劑使用。

• PMER P-WE系列、 PMER P-CY系列、 TMMR P-W1000T PM

在捲帶式自動接合 (TAB)、薄膜覆晶(COF)與軟性印刷電路板(FPC)中，這些光阻具備支援聚酰亞胺膜軟性基板捲動式製程的鍍膜效果與彈性。此外，我們還供應高解析度、高黏性正型光阻，除了支援銅金屬蝕刻(減法)以外，同時符合跟細線圖案相關的半加法。

• PMER P-RC 系列, PMER P-RL 系列

• ZR8800：高熱阻厚膜i線正型光阻能夠透過矽晶深蝕刻穩定蝕刻晶圓表面，利用TSV作為2.5D與3D封裝用。甚至在厚膜條件下，該光阻能夠形成高垂直堆疊圖案。藉由高熱阻性，ZR8800光阻還能承受嚴苛的乾蝕刻條件，因而蝕刻時讓光阻圖案保持少許變化。
• TZNR系列：矽晶深蝕刻光阻系列用於非Bosch蝕刻製程的深反應離子式蝕刻(DRIE)，其具有基板強制冷卻製程的極優抗裂性。

• TLOR系列：我們供應能夠形成單層與一次曝光剝離結構之正負型光阻，這些光阻支援金屬濺鍍沈積製程。尤其在使用一般有機溶劑的製程後，容易剝離此系列的正型光阻。

• ST-120/ST-121：這些去光阻劑針對去除乾膜光阻與電鍍正負型光阻膜設計，由於其極優抗腐蝕性，因此能在不損傷銅、鋁與其他其金屬下去除光阻層。此外，若烘烤前就使用，去光阻劑即能去除聚酰亞胺(PI)。在不損傷鋁金屬層下，這些去光阻劑亦可用於聚酰亞胺製程的晶圓重工。

TMMF-S2000光阻/液態光阻
這些光阻提供低溫固化、高解析度與黏性之負型感光固定膜，不僅能形成高深寬比圖案，而且還能透過帷幕製程讓薄膜光阻用於形成孔洞結構以及形成半導體與微機電(MEMS)裝置用絕緣層與通道。跟傳統犧牲層製程相比，這些光阻能簡化複雜製程。此外，我們還提供全系列產品，可做為Si對Si、Si對玻璃與玻璃對玻璃接合用光阻黏著劑。

• TMR系列：本系列產品確保透光率在400 nm可見光以上超過95%，TMR系列還供應特殊用光阻，做為形成高可靠度薄膜用於CMOS影像感測器(CIS)微透鏡、透明隔離層與其他使用。 光微影蝕刻製程圖案化後，這些光阻就能利用烘烤製程熱流形成凸透鏡。

表面膜
我們供應全系列鍍膜材料，其設計除了保護表面不受化學品損壞，以及保護表面免於污染與微粒吸附和接觸與摩擦。