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  • 半导体材料(后段)

半导体封装製程用材料

  • 金凸块、铜柱、微凸块与其他结构之铜、镍、锡银与铅电镀用光阻

    我们供应全系列电镀用高灵敏性、厚膜正型光阻,以承受金(Au)、银(Ag)、锡(Sn)、铜(Cu)、镍(Ni)与钯(Pd)金属电镀液,这些光阻用来形成3D直通硅穿孔(TSV)上的微凸块、金柱凸块与铜柱 、晶圆级晶粒尺寸封装(WL-CSP)、铜柱/复晶封装、LCD驱动器与其它应用,同时在电镀製程中还具备高製程。我们供应的光阻在电镀时具有高製程宽容度,因而对于铜金属基板能够形成具有极优附着性的高解析度穿孔图案。此外,在电镀后的光阻剥离时,我们供应的光阻比起负型光阻还要容易剥离,同时我们供应的正型光阻不但能够节省凸块电极製程成本,而且还能支援10到 100 μm光阻厚度。再者,我们还供应一种超厚膜光阻,可用于形成高铜柱电极,作为直通模孔(TMV)与堆叠式封装层叠(PoP)装置用。

    • PMER P-CS系列、PMER P-LA系列、PMER P-HA系列、PMER P-CE系列
  • RDL电镀用光阻

    我们供应全系列电镀用光阻,以形成重分佈层(RDL)。这些光阻支援最新半导体封装技术,即晶圆级晶粒尺寸封装(WL-CSP)、 晶圆/面板等级扇出封装连同供应形成互连体超细RDL所需的高解析度,同时支援5-20 μm薄膜厚度与宽广聚焦深度(DOF)
    。我们供应萘醌与化学增强型光阻,其具备整合环境所需的超优误差特色。此外,我们供应高解析度光阻,可搭配Na2 CO3无机硷性显影剂使用。

    • PMER P-WE系列、 PMER P-CY系列、 TMMR P-W1000T PM
  • TAB/COF用光阻、FPC蚀刻製程(捲动式製程)

    在捲带式自动接合 (TAB)、薄膜复晶(COF)与软性印刷电路板(FPC)中,这些光阻具备支援聚酰亚胺膜软性基板捲动式製程的镀膜效果与弹性。此外,我们还供应高解析度、高黏性正型光阻,除了支援铜金属蚀刻(减法)以外,同时符合跟细线图案相关的半加法。

    • PMER P-RC 系列, PMER P-RL 系列
  • 硅晶深蚀刻用光阻
    • ZR8800:高热阻厚膜i线正型光阻能够透过硅晶深蚀刻稳定蚀刻晶圆表面,利用TSV作为2.5D与3D封装用。甚至在厚膜条件下,该光阻能够形成高垂直堆叠图案。藉由高热阻性,ZR8800光阻还能承受严苛的乾蚀刻条件,因而蚀刻时让光阻图案保持少许变化。
    • TZNR系列:硅晶深蚀刻光阻系列用于非Bosch蚀刻制程的深反应离子式蚀刻(DRIE),其具有基板强制冷却制程的极优抗裂性。
  • 剥离製程用光阻
    • TLOR系列:我们供应能够形成单层与一次曝光剥离结构之正负型光阻,这些光阻支援金属溅镀沉积製程。尤其在使用一般有机溶剂的製程后,容易剥离此系列的正型光阻。
  • 抗腐蚀性去光阻剂
    • ST-120/ST-121:这些去光阻剂针对去除干膜光阻与电镀正负型光阻膜设计,由于其极优抗腐蚀性,因此能在不损伤铜、铝与其他其金属下去除光阻层。此外,若烘烤前就使用,去光阻剂即能去除聚酰亚胺(PI)。在不损伤铝金属层下,这些去光阻剂亦可用于聚酰亚胺制程的晶圆重工。

製造微机电与影像感测器用光阻

  • 感光固定膜用光阻

    TMMF-S2000光阻/液态光阻
    这些光阻提供低温固化、高解析度与黏性之负型感光固定膜,不仅能形成高深宽比图案,而且还能透过帷幕製程让薄膜光阻用于形成孔洞结构以及形成半导体与微机电(MEMS)装置用绝缘层与通道。跟传统牺牲层製程相比,这些光阻能简化複杂製程。此外,我们还提供全系列产品,可做为Si对Si、Si对玻璃与玻璃对玻璃接合用光阻黏着剂。

  • 感光透明膜用光阻(微透镜/透明绝缘层)
    • TMR系列:本系列产品确保透光率在400 nm可见光以上超过95%,TMR系列还供应特殊用光阻,做为形成高可靠度薄膜用于CMOS影像感测器(CIS)微透镜、透明隔离层与其他使用。 光微影蚀刻製程图案化后,这些光阻就能利用烘烤製程热流形成凸透镜。
  • 水性表面膜、有机溶剂与特殊溶剂

    表面膜
    我们供应全系列镀膜材料,其设计除了保护表面不受化学品损坏,以及保护表面免于污染与微粒吸附和接触与摩擦。